國產EUV光刻將面世 封鎖倒逼自主創新
原文刊於信報財經新聞「CEO AI⎹ EJ Tech——高管對談」
中美關稅戰近日暫時降溫，惟美方對高端晶片的出口管制未見鬆綁跡象。為降低對海外技術的依賴，中國須分散供應鏈風險，提升自主研發的能力，為交付國產光刻機鋪路。本報專訪盛博香港（Bernstein）董事經理、高級分析師林清源，拆解國產替代的技術路線，分析半導體產業的未來動向。
替代進程分三階段
林清源現擔任證券分析工作，主力中國半導體行業，研究重點集中三大主要板塊。一是晶圓製造板塊，包括中芯國際（00981）與華虹半導體（01347）等廠商；二是半導體的設計板塊，包括寒武紀（688256.SH）、海光信息（688041.SH）等；三是國內生產設備板塊，包括中微（688012.SH）、北方華創（002371.SZ）等公司。
林清源指出，業界首要課題一直是國產替代，但他認為整體應該分為三個階段。
早期是技術突破期，出現很多初創企業，但國產替代的比例不會太高；中期是加速期，即經過一定技術積累後，國產替代開始快速提升；然後是平台期，國產替代面對全球競爭格局，又會慢慢放緩。對於二級市場投資而言，最有吸引力的是處在加速期的公司，它們因國產替代而快速搶佔市場份額，從而持續獲得更高估值。
被問到中美關係對半導體產業的影響，林清源認為兩國「還是以競爭為主，但中間……也有很多合作」，半導體正是兩國博弈焦點，像很多制裁都是圍繞相關板塊，再度執政的美國總統特朗普不見得會放鬆對華設備的管制，雖然過程中可能有談判空間，但「從最終的結果來看，對中國的半導體制裁肯定都是一直收緊的」。
6納米製程陷樽頸
相對於今年進入2納米製程的台積電，中國最近傳聞從7納米推進至5納米。不過，林清源依業內視角審視，指出這個5納米「比較等價於台積電的6納米」，密度、效能上尚未追上台積電，所以中國目前的產能，似乎卡在6納米這關鍵樽頸。
造成這種情況的最大原因是設備限制，因為從7納米到5納米製程，要求由深紫外（DUV）光刻，切換為極紫外（EUV）光刻，但美國公司西盟（Cymer）的EUV光源模組遭到出口禁制，中國自2019年起一直無法取得EUV光刻機。現時中國用DUV光刻機達成7納米產能，良率已經偏低，頗難繼續推進。
市場最近把中國自主研發EUV光刻機提上議程，更有跡象顯示荷蘭巨頭艾司摩爾（ASML），開始擔憂中國真的能將EUV造出來。林清源對此直言：「中國在EUV的研製上，討論的不是能不能做成功，而是什麼時候能做成功……我個人認為從2025年開始算，可能是至少一個5到10年的旅程。」
先優化晶片架構及封裝
林清源同時強調，中國嘗試的技術路線，未必跟全球之前走向相同。
在沒有EUV光刻機的情況下，仍然可從架構、材料或封裝角度作電晶體優化，故林清源判斷，「中國未來可能會走出不一樣的路徑，先跳過EUV的世代、先去做其他的優化，然後等到國內的EUV確實有突破以後，再進一步縮小晶體尺寸。」
採訪、撰文：郭文德
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