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三星｜新記憶體 增儲存密度提效
By 信報財經新聞 on August 6, 2026
原文刊於信報財經新聞「CEO AI⎹ EJ Tech」
美國加州聖克拉拉舉行2026年未來儲存（FMS）大會，南韓三星電子發表新一代人工智能（AI）記憶體技術，並首度公開zHBM與zNAND-O概念模型，同時推出業界首款超過400層堆疊、儲存密度比上一代產品提高約58%的V10 BV-NAND。此外，三星早前宣布計劃今年下半年提高HBM4的產量。
另兩款概念產品曝光
zHBM專為高級AI運算而設計，這款新系統將高頻寬記憶體（HBM），垂直堆疊在AI加速器之上，縮短AI處理器及記憶體之間的資料傳輸距離。配合先進晶圓鍵合技術，採用zHBM的下一代介面系統，記憶密度將達到HBM5的10倍以上，可望實現其8倍效能。至於新一代高性能NAND解決方案zNAND-O，目前正開發4層及8層版本，專為邊緣AI環境而設。
快閃記憶體方面，三星推出首款採用晶圓鍵合技術的V10 BV-NAND，其層數高達400層以上【圖】，儲存密度比上代產品（V9）提高約58%，同時改善讀取、寫入及輸入/輸出效能。
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