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量子科技｜極紫外線微影首印量子點陣列
By StartupBeat on May 27, 2026
原文刊於信報財經新聞「CEO AI⎹ EJ Tech」
比利時校際微電子研究中心（imec）早前宣布，成功使用「高數值孔徑極紫外線」（High-NA EUV）微影技術，製造出量子點量子位元（Qubit）裝置，有望在量子技術擴展扮演關鍵角色。
助縮短AI研發周期
High-NA EUV是目前世上最先進、精細的晶片刻印技術，今次則是該技術首度用在量子位元，並且印出功能正常的量子點陣列，其間隙僅6納米，足以在單一晶片容納數百萬計Qubit。量子運算項目主任德格雷夫（Kristiaan De Greve）指出，「相鄰量子點之間的耦合強度，會隨彼此間隙指數增加，因此我們要在量子點的控制電極之間，穩定描製只有幾納米的間隙。」
該中心於今年3月獲得荷蘭晶片設備巨頭艾司摩爾（ASML）全球首台High-NA EUV機器，ASML不久前更表示，首批利用此技術製作的記憶體及邏輯晶片產品，未來數月就會問世。
科技媒體Tom’s Hardware提到，由於推動人工智能（AI）的記憶體，多數亦將依賴High-NA EUV，故今次突破能把量子運算與下代AI處理器納入同一路線，並且縮短研發周期。
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