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納米投術｜IBM亞納米晶片 電晶體密度倍升
By 信報財經新聞 on June 29, 2026
原文刊於信報財經新聞「CEO AI⎹ EJ Tech」
國際商業機器（IBM）日前宣布，擁有世界上首項亞納米晶片技術，專為人工智能（AI）數據中心而設。透過新型「納米堆疊」架構，採用交錯式垂直堆疊電晶體，能夠在指甲大小的晶片上，整合近1000億個電晶體，其密度幾乎是上代晶片技術的兩倍。
具體來說，一納米（十億分之一米，幾個原子的大小），由10個埃（Angstrom）組成。IBM將其新晶片技術，描述為在0.7納米節點上製造，並將之命名為「7埃節點」。相比之下，一個紅血球的直徑約為7000納米，比這些新型節點大約一萬倍。
運算提效50% 訓練模型縮至數周
英國廣播公司（BBC）提到，晶片設計師為擴展晶片，專注於3D替代方案，透過改變電晶體形狀，一層層地疊高，而挑戰之一就是散熱問題。IBM研發的NanoStack，就像興建一座100層高的摩天大樓。三星及英特爾（Intel）等對手，憑藉自家的3D晶片技術，則更像是30至50層高的建築。
IBM發布的技術報告預測，納米堆疊架構可望令運算性能，比上代2納米製程晶片提升50%，或能源效率提高70%。目前主流的AI加速器，可處理約1500 TOPS（每秒萬億次操作），採用7埃技術的加速器，性能可提升約6倍，達到9000 TOPS左右。以前沿大型語言模型為例，訓練時間可從大約3個月大幅縮短至幾周。
IBM半導體全球研發及IBM研究院副總裁Huiming Bu在發布會表示，「納米片已成為下代電晶體微縮技術的基礎。如今所有領先的代工廠，都已在大多數3納米晶片及所有2納米晶片中採用納米片技術。」
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